序号 | 特气名称 Name | 所用设备 Equipment
| 技术安全说明书 MSDS | 存放位置 Location |
1 | 三氯化硼 | 高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) 反应离子刻蚀机 | BCl3-MSDS.pdf | 腐蚀有毒气体间 |
2 | 八氟环丁烷 | 深硅刻蚀机
HBR刻蚀机 | C4F8-MSDS.pdf | 惰性气体间 |
3 | 甲烷 | 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) | CH4-MSDS.pdf | 特气间 |
4 | 三氟甲烷 | ICP介质刻蚀机 反应离子刻蚀系统 反应离子刻蚀机 | CHF3-MSDS.pdf | 惰性气体间 |
5 | 氯气 | 高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) HBR刻蚀机 反应离子刻蚀机 | Cl2-MSDS.pdf | 腐蚀有毒气体间 |
6 | 二氯二氢硅 | 低压化学气相沉积系统(LPCVD) | SIH2CL2-MSDS.pdf | 洁净室负一楼 |
7 | 0.95%氟气+氪气+氖气 | 步进式光刻机(stepper) | 0.95%F2+Kr+Ne-MSDS.pdf | 腐蚀性有毒气体间 |
8 | 氢气 | 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) 反应离子刻蚀机 低压化学气相沉积系统(LPCVD) | H2-MSDS.pdf | 易燃易爆间 |
9 | 溴化氢 | HBR刻蚀机 | HBr-MSDS.pdf | 腐蚀有毒气体间 |
10 | 1.2%氦混氮 | 步进式光刻机(stepper) | He(1.2%)+N2-MSDS.pdf
| 洁净室一楼 |
11 | 氮气 | 高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) 等离子去胶机(Asher) 反应离子刻蚀机 深硅刻蚀机 ICP介质刻蚀机(VERSALINE ICP)
原子层积系统ALD HF干法刻蚀机(uEtch) 化学气相沉积系统(PECVD)
低压化学气相沉积系统(LPCVD) 步进式光刻机(stepper) | N2-MSDS.pdf | 洁净室, 腐蚀有毒气体间,易燃易爆间 ,特气间洁净室, 腐蚀有毒气体间,易燃易爆间 ,特气间 |
12 | 一氧化二氮 | 化学气相沉积系统(PECVD) | N2O-MSDS.pdf | 惰性气体间 |
13 | 氨气 | 原子层积系统ALD 化学气相沉积系统(PECVD) 低压化学气相沉积系统(LPCVD) | NH3-MSDS.pdf | 特气间 |
14 | 磷烷(15%)+硅烷 | 低压化学气相沉积系统(LPCVD) | PH3(15%)+SiH4-MSDS.pdf | 特气间 |
15 | 六氟化硫 | 高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机化学气相沉积系统(ICPCVD) 反应离子刻蚀系统 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) HBR刻蚀机 反应离子刻蚀机 深硅刻蚀机 ICP介质刻蚀机 | SF6-MSDS.pdf | 惰性气体间 |
16 | 硅烷 | 化学气相沉积系统(PECVD) 化学气相沉积系统(ICPCVD) 低压化学气相沉积系统(LPCVD) | SiH4-MSDS.pdf | 特气间 |
17 | 氟化氢 | HF干法刻蚀机(uEtch) | HF-MSDS.pdf | 洁净室一楼 |
18 | 氩气 | 化学气相沉积系统(ICPCVD) 反应离子刻蚀系统 等离子刻蚀系统(三五族刻蚀机)
HBR刻蚀机 等离子去胶机(Asher) 反应离子刻蚀机
高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机 深硅刻蚀机 ICP介质刻蚀机 原子层积系统ALD |
| 惰性气体间 |
19 | 氧气 | 化学气相沉积系统(ICPCVD) 反应离子刻蚀系统 等离子刻蚀系统(三五族刻蚀机) HBR刻蚀机 等离子去胶机(Asher) 反应离子刻蚀机 高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机 深硅刻蚀机 ICP介质刻蚀机 原子层积系统ALD 氟化氙刻蚀仪XeF2 Etcher(e2) |
| 惰性气体间 |
20 | 四氟化碳 | 等离子刻蚀系统 (三五族刻蚀机) 化学气相沉积系统(PECVD) 反应离子刻蚀系统 等离子去胶机(Asher) 反应离子刻蚀机 高功率等离子体刻蚀机 不含铟的三五族刻蚀机 深硅刻蚀机 ICP介质刻蚀机 |
| 惰性气体间 |