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工艺能力

中心拥有先进的设备和强大的技术力量，具备光刻、镀膜、刻蚀、切割、测量及多工艺集成等多种能力，能够提供全方位的微纳制造技术加工解决方案，为器件研发和生产提供了可靠的支持。

光刻工艺

光刻（photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、蓝宝石等。曝光工艺设备名称工艺能力电子束曝光ELS-F125G8线宽：≥10nm；晶圆尺寸：≤ 8 inch；晶圆种类：硅片、透明晶圆、GaAs、SiC等；套刻精度：20nm；写场：≤500*500 μm电子束光刻机Sigma300线宽：≥100nm；晶圆尺寸：形状规则，≤2cm*2cm；晶圆种类：硅片、透明晶圆、GaAs、SiC等；套刻精度：100nm；写场：1000μm步进式光刻机PAS 5500/350C线宽：≥150nm；晶圆尺寸：适用于4inch（6、8 inch需要提前沟通）；晶圆种类：硅片、透明晶圆、GaAs、SiC等；套刻精度：25nm，可双面对位；写场：≤22*22mm紫外接触式光刻系统MA6线宽：≥0.8 μm；晶圆尺寸：≤6 inch；掩膜板尺寸：7inch向下兼容；晶圆种类：无限制；套刻精度：可双面对位，正面对准精度
镀膜工艺

镀膜（coating film）是半导体及光学工业中最为重要的工艺之一，镀膜指在基材上形成从数纳米到数微米的材料层，材料可以是金属材料、半导体材料、以及氧化物氟化物等化合物材料。镀膜的工艺可以最简略的分为物理工艺及化学工艺，镀膜工艺一般有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。物理气相沉积（PVD）通过plasma轰击靶材，靶材原子脱离靶材，落在基板表面，形成薄膜；化学气相沉积（CVD）是通过化学反应，在晶圆表面生长介质薄膜。除此之外还有电子束蒸发(Electron beam evaporation)、热蒸发 (Thermal evaporation)和电镀(Electroplating)等方法，电子束蒸发(Electron beam evaporation)是通过电子束轰击镀膜材料，加热使材料蒸发并沉积在基板上；热蒸发 (Thermal evaporation)是通过电阻加热镀膜材料使其加热蒸发，在比蒸发温度低的基板表面上凝结形成薄膜的工艺；电镀(Electroplating)是利用电解原理在某些金属表面上镀上一层其它金属或合金的工艺。设备名称设备工艺能力适用衬底工艺条件氮化
干法刻蚀工艺

干法刻蚀（dry etching）是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻开出的掩模层窗口，与暴露于等离子体中的基板材料或者沉积在基板材料上的物质进行物理或化学反应，从而刻蚀掉暴露于表面材料的一种工艺技术。设备名称工艺能力工艺展示反应离子刻蚀系统RIEl 晶圆尺寸：≤4英寸；l 衬底类型：硅基、III-V族、蓝宝石、SiC等非易挥发性衬底;l 刻蚀材料种类：SiNx、SiO2；l SiNX刻蚀工艺:刻蚀速率40nm/min；侧壁＞85°；均一性≤5%；衬底温度室温；l SiO2刻蚀工艺: 刻蚀速率25nm/min；侧壁＞85°；均一性≤5%；衬底温度室温；SiN刻蚀反应离子刻蚀机l 晶圆尺寸：≤8英寸；l 衬底类型：III-V族、硅基、蓝宝石、SiC等非易挥发性衬底，允许刻蚀金属、介质等多种材料，不限交叉污染；l 刻蚀材料种类：硅片、SiNx、SiO2、Al、LiNbO3、AlN、Mo、Cr、NbN等多种材料；l 刻蚀工艺：刻蚀速率≤200nm/min；侧壁＞85°；均一性≤5%（6英寸）；Cr掩模的硅柱刻蚀等离子刻蚀系统l 晶圆尺寸：≤4英寸；l 衬底类型：III-V族，硅及基于蓝宝石
湿法区工艺

湿法工艺湿法工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，包括湿法清洗与湿法刻蚀。所谓湿法清洗是指是指利用各种无机、有机化学试剂、酸、碱及表面活性剂等对晶片表面附着的杂质进行清除，晶片表面的杂质与溶剂发生化学反应，生成可溶性物质、气体或直接脱落，从而达到清洗晶片的目的，湿法清洗是主流技术路线，占芯片制造清洗步骤数量的90%以上；所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。三台酸清洗及腐蚀通风橱设备名称工艺能力工艺案例展示工艺案例说明湿法腐蚀台（金属刻蚀及清洗通风橱，含超声功能））设备配置：超声清洗机工艺能力：金属刻蚀及超声清洗可用溶剂：仅允许使用Au、Cu、Al、Cr等金属刻蚀液Cr刻蚀被刻蚀材料：5 inch Mask 铬板刻蚀溶液：硝酸铈铵上图为湿刻1min后实物图，下图为微观结构。湿法腐蚀台通风橱2（普通酸刻蚀及清洗通风橱，无超声功能）工艺能力：酸清洗及刻蚀可用溶剂：HCl、硫酸，piranha（H2SO4:H2O2=9:1）、SC1（H2O2:NH4OH:H2O =1:1:5）、SC2（H2O2:HCl:
后道工艺

后道（Back-End ），后道工序分为封装和测试两大工序。封装（Packaging）步骤依序为晶圆减薄（BackGrindingPolish）晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检测（inspection）等。量子器件中心现有的后道设备包含减薄机，切割机，贴片机，打线机。设备名称工艺能力工艺展示减薄机WG-1211可容纳6英寸及以下样品背面减薄，用于硅、锗、砷化镓等硬脆材料的精密减薄，公差±10μm,减薄厚度200umGaAs+GaAs键合样品减薄，减薄后厚度400um抛光机LM-400可兼容4英寸及以下三五族化合物半导体衬底模块背面抛亮，样品厚度在300um以上，仅提供次氯酸钠抛光液实现微米级抛光InP衬底抛光切割机DAD3350加工尺寸为最大Ø8英寸及其以下不规则样品。加工物厚度（mm)0.1~1.5（需要配置不同的刀片）。X轴进刀速度有效范围（mm/s）0.1-600 / Y轴最小步进量（mm）0.0001定
量测工艺

量测技术是集成电路制造工艺中不可缺少的组成部分，贯穿于集成电路领域生产过程。量测设备能在生产中监测、识别、定位、分析工艺缺陷，对晶圆厂及时发现问题、改善工艺、提高良率，起到至关重要的作用。随着集成电路继续多层化、复杂化，量测设备的重要性日趋凸显。设备名称工艺能力工艺照片展示扫描电子显微镜SEM主要功能及特色：扫描电子显微镜主要用于材料科学、金属材料、半导体材料、陶瓷材料、化学材料等领域，可进行材料的微观形貌、组织分析，可对磁性样品和不导电样品进行高分辨成像和分析。主要规格及技术指标：1.加速电压：0.02-30 KV；2.分辨率：≤0.7 nm@15 KV(二次电子)，≤1.2 nm@1KV（二次电子）；3.放大倍率：12-2,000,000 ；4.探针电流：最大电流不小于 20 nA。原子力显微镜AFM主要功能及特色：1.高分辨率：在样品上每个原子实现力扫描；2.采用双向扫描选项即刻实现成像速度翻倍；3.完整的纳米尺度定量信息；4.获取整体力学数据，从而全面表征接触力学机制。主要规格及技术指标：样品台移动范围: 180mm × 150mm可视区域；样品尺寸: 210mm 真空吸盘样品

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