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3-16
预约送样
原子层积系统ALD
设备编号：3-16
设备管理员A：马驰原
设备管理员B：张雁冰
邮箱：machy@shanghaitech.edu.cn
邮箱：zhangyb2@shanghaitech.edu.cn
电话：021-20684635
电话：021-20684626

1. 主要功能及特色：

将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，这种方式可使每次反应只沉积一层原子。

2. 主要规格及技术指标：

配置源瓶：TiCl4、H2O、TMA、Si源，Hf源

可生长膜层：Al2O3、HfO2、SiO2、TiO2、TiN

最大样品尺寸：4寸晶圆

适用衬底：III-V族，硅及基于蓝宝石/SiC等非易挥发性衬底的III-V材料膜系

生长温度：20~300℃

生长速率：约0.8A/cycle

均匀性：＜5%

3.服务内容：

提供用户自主操作、委托加工服务



设备状态良好，可供使用



1.主要针对仪器操作步骤、注意事项等进行培训

2.培训方式：请到SMDL日历中查阅与报名



SQDL平台原子层积系统（ALD）标准操作流程及使用规范（SOP）.pdf


暂无

设备介绍
设备状态
培训
设备SOP
工艺展示

1. 主要功能及特色：

将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，这种方式可使每次反应只沉积一层原子。

2. 主要规格及技术指标：

配置源瓶：TiCl4、H2O、TMA、Si源，Hf源

可生长膜层：Al2O3、HfO2、SiO2、TiO2、TiN

最大样品尺寸：4寸晶圆

适用衬底：III-V族，硅及基于蓝宝石/SiC等非易挥发性衬底的III-V材料膜系

生长温度：20~300℃

生长速率：约0.8A/cycle

均匀性：＜5%

3.服务内容：

提供用户自主操作、委托加工服务