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1. 主要功能及特色：
采用以气态氟化氙（XeF2）作为主刻蚀气体，辅以N2或H2O提高选择比，对Si介质进行各向同性脉冲刻蚀。
2. 主要规格及技术指标：
最大样品尺寸：6寸晶圆 |
刻蚀均匀性：＜10% |
刻蚀速率：＞1μm/min |
选择比（SiO2/SiN）：＞100:1 |
3.服务内容：
提供用户自主操作、委托加工服务
设备状态良好，可供使用
工艺时间 | 工艺展示 | 内容和指标说明 |
2022.11.29 |
| 1μm SPR3612掩膜，etch20s，15cycle |
中心地址：上海市浦东新区海科路99号1号楼
联系方式：SMDL@shanghaitech.edu.cn
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