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一、设备介绍
1. 主要功能及特色：
低压化学气相沉积系统在半导体器件制造过程中，主要用于干湿法氧化/退火，沉积低应力氮化硅、掺杂/非掺杂多晶硅及磷硅玻璃薄膜。
2. 主要规格及技术指标：
沉积基片尺寸：4寸、6寸 |
炉管数量：4只炉管，T1、T2、T3、T4 |
炉管工艺：T1（干/湿法氧化硅，N2退火）；T2（氮化硅/低应力氮化硅）；T3（多晶硅/掺杂多晶硅）；T4（磷硅玻璃） |
沉积能力：最多50片4寸或6寸基片 |
沉积衬底：Si、石英等基底 |
3.服务内容：
委托加工服务
二、设备状态
设备状态良好，可供使用
三、培训
四、设备SOP
五、工艺展示
薄膜 | 氧化硅 | 氮化硅 | 多晶硅/ 掺杂多晶硅 | 磷硅玻璃/ 低温氧化硅 |
工艺展示 |
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内容和指标说明 | 尺寸：4寸/6寸 典型厚度：0.05-0.2um 膜厚均匀性：≤2% | 尺寸：4寸/6寸 典型厚度：0.1-2um 膜厚均匀性与应力： 低应力SiNx≤5%/50-300Mpa Si3N4≤3%/1000-1250Mpa | 尺寸：4寸/6寸 典型厚度：0.1-2um 膜厚均匀性： 多晶硅≤3% 掺杂多晶硅硅≤5% | 尺寸：4寸/6寸 典型厚度：0.05-0.2um 膜厚均匀性：≤5% |
中心地址：上海市浦东新区华夏中路393号
联系方式：SMDL@shanghaitech.edu.cn
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