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1. 主要功能及特色：
采用三螺旋平行板天线（PTSA）作为等离子体源，利用其所产生的的高离子密度和低离子等量的均匀等离子体，对三五族化合物半导体进行低损伤和纳米结构的刻蚀。
2. 主要规格及技术指标：
配置LL和Endpoint检测功能 |
上电极PTSA源射频发生器：频率13.56 mHz，最大功率1200 W；下电极偏置射频发生器：频率13.56 mHz，最大功率600W |
涡轮分子泵，抽速≥ 1500 l/s，前级泵干泵，抽速≥ 20 m3/h |
反应腔真空漏率< 2*10-4 mbar L/s |
8小时以内达到本底真空≤ 1*10-6 mbar |
最大样品尺寸：6寸晶圆 |
适用衬底： III-V族，硅及基于蓝宝石/SiC等非易挥发性衬底的III-V等不含铟的材料 |
刻蚀速率（AlN）：240nm/min |
选择比：S1818掩膜：0.77:1，Ni掩膜：30:1 |
3.服务内容：
提供用户自主操作、委托加工服务
设备状态良好，可供使用
1.主要针对仪器操作步骤、注意事项等进行培训
2.培训方式：请到SMDL日历中查阅与报名
暂无
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