低压化学气相沉积系统（LPCVD-3-24B）

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1. 主要功能及特色：

低压化学气相沉积系统在半导体器件制造过程中，主要用于干湿法氧化/退火，沉积低应力氮化硅、掺杂/非掺杂多晶硅及磷硅玻璃薄膜。

2. 主要规格及技术指标：

沉积基片尺寸：4寸、6寸

炉管数量：4只炉管，T1、T2、T3、T4

炉管工艺：T1（干/湿法氧化硅，N2退火）；T2（氮化硅/低应力氮化硅）；T3（多晶硅/掺杂多晶硅）；T4（磷硅玻璃）

沉积能力：最多50片4寸或6寸基片

沉积衬底：Si、石英等基底

3.服务内容：

委托加工服务