PECVD-3-11
1. 主要功能及特色：
氧化硅和氮化硅的沉积工艺。
2. 主要规格及技术指标：
样品尺寸：4寸及以下样品 |
氮化硅、氧化硅薄膜＜500nm，应力＜300MPa |
沉积温度：300℃ |
氧化硅沉积工艺气体：SiH4，N2O，N2 |
氮化硅沉积工艺气体：SiH4， N2，NH3 |
3.服务内容：
提供用户自主操作、委托加工服务
ICPCVD3-12
1. 主要功能及特色：
氧化硅和氮化硅的沉积工艺
2. 主要规格及技术指标：
样品尺寸：8寸及以下 |
沉积温度：140℃ |
极限真空：3*10-6Torr |
氮化硅应力＜100MPa，氧化硅应力＜250MPa |
氧化硅沉积工艺气体：SiH4，N2O，N2 |
氮化硅沉积工艺气体：SiH4，N2，NH3 |
3.服务内容：
提供用户自主操作、委托加工服务
中心地址：上海市浦东新区华夏中路393号
联系方式：SMDL@shanghaitech.edu.cn
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