深硅刻蚀机-3-21

设备性能学习视频

1. 主要功能及特色：

设备采用感应耦合等离子体方式产生高密度高功率等离子体，利用Bosch工艺，实现Si的深度刻蚀。在集成电路的制造、微机电系统的设计、微纳光子学的研究以及三维集成电路堆叠等领域具有广泛应用。

2. 主要规格及技术指标：

反应腔本底真空：≤3*10^-6Torr

真空漏率：≤5mTorr/min

气路配置：SF₆，C₄F₈, O₂和Ar

射频发生器：上电极：2MHz，最大功率3500W；

下电极：100KHz，最大功率100W

下电极温度：-40℃~40℃

样品尺寸：支持4寸及以下样品

配置终点侦测：激光波长670nm，光斑尺寸＜80μm，视场1.5mm*1.5mm

刻蚀速率：~5μm/min

刻蚀深度：可达500μm

选择比（SPR220-7）：80:1

选择比（SiO₂）：150:1

晶圆内均一性：＜±3%（4inch）

3.服务内容：