1. 主要功能及特色:
电子束光刻机是利用纳米电子束斑在光刻胶上扫描,改变光刻胶的显影特性,可获得纳米级分辨率的图形结构。微纳器件加工中曝光纳米级结构图型,可用于各种纳米结构及器件、光刻掩膜版以及纳米压印模板等的加工。
2. 主要规格及技术指标:
最大加速电压:125 kV |
扫描频率:100 MHz |
最小束斑直径:≤4 nm @1nA,≤8 nm @10nA |
最小线宽:8 nm(100 um X100 um),20nm(500 um X500 um) |
束流大小:50pA、100pA、300pA、500pA、700pA、1nA、3nA、5nA、10nA |
OL Aperture:直径120μm |
场拼接精度:≤ 10 nm(100 um X100 um),≤ 25 nm(500 um X500 um) |
对准精度:≤ 15 nm(100 um X100 um),≤ 30 nm(500 um X500 um) |
最大写场范围:3000 um X 3000 um(高速模式) 500 um X 500 um(高精度模式) |
样品台步进精度:0.3 nm |
最大曝光面积:210 mm X 210 mm |
SEM 最大放大倍率:500000 |
样品尺寸:8寸以下基片及不规则小片 |
衬底类型:硅基、碳化硅、Ⅲ-Ⅴ族半导体、石英玻璃/蓝宝石透明晶圆 |
3.服务内容:
仅提供委托加工服务
设备状态良好,可供使用
无