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1. 主要功能及特色：
设备采用感应耦合等离子体方式产生高密度高功率等离子体，利用Bosch工艺，实现Si的深度刻蚀。在集成电路的制造、微机电系统的设计、微纳光子学的研究以及三维集成电路堆叠等领域具有广泛应用。
2. 主要规格及技术指标：
反应腔本底真空：≤3*10-6Torr |
真空漏率：≤5mTorr/min |
气路配置：SF6，C4F8, O2和Ar |
射频发生器：上电极：2MHz，最大功率3500W； 下电极：100KHz，最大功率100W |
下电极温度：-40℃~40℃ |
样品尺寸：支持4寸及以下样品 |
配置终点侦测：激光波长670nm，光斑尺寸＜80μm，视场1.5mm*1.5mm |
刻蚀速率：~5μm/min |
刻蚀深度：可达500μm |
选择比（SPR220-7）：80:1 |
选择比（SiO2）：150:1 |
晶圆内均一性：＜±3%（4inch） |
3.服务内容：
委托加工服务，采用在设备预约系统申请“送样预约”模式。
设备状态良好，可供使用
暂未开放培训
暂未开放设备SOP
工艺时间 | 工艺展示 | 内容和指标说明 |
2023.11 |
| 刻蚀深度：200微米 刻蚀线宽：20微米 |
中心地址：上海市浦东新区华夏中路393号
联系方式：SMDL@shanghaitech.edu.cn
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