2号腔体：物理刻蚀，极限真空：5*10-7Torr；

3号腔体：Mo镀膜，极限真空：5*10-8Torr；

4号腔体：AlN、Al镀膜，极限真空：5*10-8Torr；

5号腔体：AlScN镀膜，如生长AlMgHf等其它材料，需要自配内衬、衬底，极限真空：5*10-7Torr；

2号腔体：硅基，3、4、5号腔体：硅基/蓝宝石/SiC/LN等非易挥发性衬底，其中衬底为LN时仅允许室温生长；表面禁止带光刻胶；衬底表面可裸露的金属：Au，Pt，Mo；

Ar气流量：0-200sccm，氮气气流量：0-200sccm；

2个25插槽cassette。2号和5号腔：分子泵。3号和4号腔：冷泵。3号和4号：ESC吸附基片，保证薄膜均匀性。

最大基底尺寸8寸，其中6寸及以下需使用载硅，载硅属消耗品，根据镀膜厚度收相应费用；

ICP刻蚀速率（SiO2）：9.24nm/min，均匀性：1%；

Mo生长速率：900nm/min、应力：-36MPa、XRD：2.0°（8“晶圆，300nm厚度）；

AlN生长速率：60nm/min、均匀性：1%、应力：-11.45MPa、XRD：1.21°（8“晶圆，1um厚度）；

AlScN掺杂浓度：掺Sc 30%、生长速率：10.6nm/min、均匀性：1%、XRD：1.5°（8“晶圆，1um厚度）；

工艺时间

工艺展示

内容和指标说明

2023.02.10

PM3，Mo 300nm，XRD 2°（基于8"晶圆）；

2023.04.06

PM4，AlN 1um， 均匀性0.8%，XRD 1.21°（基于8晶圆）；

2023.09.26

PM5，AlScN 掺Sc30% 1um，均匀性1%，XRD 1.50°，异向晶粒较少（基于8晶圆）；