论文：
1.《纳米柱InGaN/GaN多量子阱干法刻蚀制备研究》，半导体技术，2018年第4期；
专利：
1. 发明专利，《一种发光二极管及发光装置》，第1作者，申请号：202211483787；
2. 发明专利，《一种提高倒装LED芯片发光效率的工艺制作方法
》，第1作者，申请号：CN201811413035.2；
3. 发明专利，《一种倒装GaN基LED微显示器件及其制作方法
》，第1作者，申请号：CN201811406149.4；
4. 发明专利，《一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法》，第1作者，申请号：CN201811409855.4；
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