光刻工艺

发布者：刘小华发布时间：2023-08-31浏览次数：269

光刻（photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、蓝宝石等。

1. 曝光工艺

设备名称	工艺能力
电子束曝光ELS-F125G8	线宽：≥10nm 晶圆尺寸：≤ 8 inch 晶圆种类：硅片、透明晶圆、GaAs、SiC等套刻精度：20nm 写场：≤500*500μm
电子束光刻机半自动EBL-Sigma300	线宽：≥100nm；晶圆尺寸：形状规则，≤2cm2cm 晶圆种类：硅片、透明晶圆、GaAs、SiC等套刻精度*：100nm 写场：1000μm
步进式光刻机PAS 5500/350C	线宽：≥150nm；晶圆尺寸：适用于4inch（6、8 inch需要提前沟通）晶圆种类：硅片、透明晶圆、GaAs、SiC等套刻精度：25nm，可双面对位；写场：≤22*22mm
紫外接触式光刻系统MA6	线宽：≥0.8 μm；晶圆尺寸：≤6 inch；掩膜板尺寸：7inch向下兼容；晶圆种类：无限制；套刻精度：可双面对位，正面对准精度0.5μm，背面对准精度1μm
无掩膜版光刻仪 MLA	线宽：≥1μm；晶圆尺寸：≤6inch；晶圆种类：石英，陶瓷，玻璃，蓝宝石；套刻精度：可双面对位，正面对准精度0.5μm，背面对准精度1μm 写场：≤100*76.8μm

2.匀胶/显影工艺

设备名称	工艺能力
自动匀胶显影机track	晶圆尺寸：4 inch； Vapor-prime模块：温度范围 25℃ – 190℃（HMDS粘附层）； Coater模块：转速50 ~ 8000rpm ，4个涂胶管路； Hot-plate模块：50℃ ~ 300℃，均匀性±0.5%； Developer模块：3个显影管路。
手动匀胶机、热板	LEBO匀胶机：4inch、2inch及小尺寸样品，正胶50nm~20μm，负胶50~400nm； LEBO HP100烘胶机、Torrey Pines Scientific HP 60烘胶机：8inch以下样品，温度范围：20℃ ~ 250℃。
显影通风橱（常温/低温显影）	提供多种显影剂，如MF-26A，AZ300MIF、邻二甲苯等；提供YAMOTO低温恒温显影水槽（温度范围0~80℃，温度调整精度±0.1℃）。

3.工艺展示

最小线宽150nm（步进式光刻机PAS 5500/350C）

最小线宽40nm（电子束曝光ELS-F125G8）

极限0.8微米线宽（MA6光刻机）

PMMA A2曝光线条CD40nm

（电子束光刻机半自动EBL-Sigma300）

最小线宽 1um（无掩膜版光刻仪 MLA）