镀膜工艺

氮化铝集成溅射仪

AlN cluster (E20011)

2号:物理刻蚀

3号：Mo镀膜

4号：AlN、Al镀膜

5号：AlScN镀膜，如生长AlMgHf等其它材料，需要自配内衬、衬底

2号腔体：硅基；

3、4、5号腔体：硅基/蓝宝石/SiC/LN/LT等非易挥发性衬底，其中衬底为LN时仅允许室温生长；表面禁止带光刻胶；衬底表面可裸露的金属：Au,Pt,Mo；

晶圆尺寸：≤8“

• ICP刻蚀速率（SiO2）：9.24nm/min，均匀性：1%；

• Mo生长速率：900nm/min、应力：-36MPa、XRD：2.0°（8“晶圆，300nm厚度）；

• AlN生长速率：60nm/min、均匀性：1%、应力：-11.45MPa、XRD：1.28°（8“晶圆，1um厚度）；

• AlScN掺杂浓度：掺Sc 30%、生长速率：10.6nm/min、均匀性：1%、XRD：1.5°（8“晶圆，1um厚度）；

多靶材溅仪SPUTTER(PVD1)

非磁性金属镀膜

(PRO Line PVD 75)

样品表面可等离子清洗；

衬底温度：室温；

可镀金属：Nb、Cu、Ti、Au、Pt、Pd、Al 、Mo等非磁金属；

带磁性金属：GeAu、Ni不可以进腔体

硅基（表面可带光刻胶）；

晶圆尺寸：≤6”

• 生长速率：Au 25.2nm/1min，Pt 13.8nm/11min，Ti 8.64nm/1min，Al 11.64nm/1min，Cu 16.86nm/11min，TiW 5.28nm/1min
  

多靶材溅射仪SPUTTER(PVD2)

磁性金属镀膜

(PRO Line PVD 75)

样品表面可等离子清洗；

衬底温度：20-500℃；

可镀金属：Cr、Ni、Ti、Au、Pt、Pd、Al等金属

III-V/硅基及基于蓝宝石/SiC/ALN等非易挥发性衬底的III-V材料膜系；

室温可带光刻胶，升温工艺不可带光刻胶；

晶圆尺寸：≤6”

• Cr 生长速率：9.48nm/1min
  

多靶材溅射仪SPUTTER(PVD3)

介质镀膜

(PRO   Line PVD 75)

样品表面可等离子清洗；

衬底温度：20-500℃；

生长Nb、Si、Ta、NbN等

硅基及蓝宝石，表面不可带光刻胶；

晶圆尺寸：≤6”

• Nb DC 生长速率：110nm/min，应力：-2MPa
  

化学气相沉积系统(PECVD)

(Plasma pro 100 PECVD 180)

沉积薄膜：SiO2、SiN；

衬底温度：300℃；

配气：（NH3/CF4/SiH4/N2/N2O）

III-V,硅基；

衬底表面禁带光刻胶；

衬底表面可裸露的金属：Au；

晶圆尺寸：≤8”

• SiNx 生长速率：~20nm/min，均匀性：0.63%，应力：47MPa；(4”晶圆)

• SiO2 生长速率：60nm/min，均匀性：0.17%，应力：-296MPa；(4”晶圆)

化学气相沉积系统(ICPCVD)

(Plasma pro 100 ICPCVD 180)

沉积薄膜：SiO2、SiN；

衬底温度：90-140℃；

配气：（SF6/O2/Ar/SiH4/N2/N2O）

III-V/硅基及基于蓝宝石/SiC等非易挥发性衬底的III-V材料膜系；

表面禁止带光刻胶；

衬底表面可裸露的金属：Al、Nb、Au、Cu；晶圆尺寸：≤8”

• SiNx 生长速率：15nm/min；均匀性：1.2%，应力：12MPa；（4“晶圆，100℃）；

•  SiO2生长速率：12nm/min；均匀性：2.58%，应力：-203MPa；（4“晶圆，140℃）

低压化学气相沉积系统(LPCVD)

共4根炉管：

1号：沉积SiO2，干氧和湿氧；

2号：沉积SiNx；

3号：沉积多晶硅/掺杂多晶硅；

4号：PSG/LTO；

配气：N2、O2、H2、4%H2/N2、SiH4、NH3、SiH2Cl2、15%PH3/SiH4

硅基（表面不可带金属）；

晶圆尺寸：4”、6”

• Tube1 SiO2 均匀性：＜2%；（6“晶圆，1100℃，500nm厚度）；

• Tube2 SiNx均匀性：＜3%，应力：＜75MPa；（6“晶圆，835℃，300nm厚度）；

• Tube3 Poly-Si均匀性：＜3%；（6“晶圆，620℃，2000nm厚度）；

• Tube4 PSG均匀性：＜5%，折射率1.44~1.47；（6“晶圆，450℃，2000nm厚度）

原子层沉积系统ALD

(R-200 Advanced)

沉积材料：SiO2、Al2O3，TiO2、HfO2、AlN、TiN

III-V/硅基及基于蓝宝石/SiC/LN等非易挥发性衬底的III-V材料膜系；

表面禁止带光刻胶；

衬底表面可裸露的金属：Au、Al；

晶圆尺寸：≤6”

• Al2O3，生长速率：0.5A/cycle(thermal),0.6A/cycle(PE-ALD);

• HfO2，生长速率：1.15A/cycle(thermal),1.2A/cycle(PE-ALD);

• TiO2，生长速率：0.45A/cycle(thermal);

• TiN，生长速率：0.7A/cycle(PE-ALD);

• AlN，生长速率：1.3A/cycle(PE-ALD);

多源炉电子束蒸发系统E-beam

(Evap)

蒸镀金属：Ti、Pt、Ni、Au、GeAu、Pd、Cr 等金属（Al除外）

III-V/硅基/蓝宝石/SiC等非易挥发性衬底；

衬底表面可带光刻胶；

晶圆尺寸：≤6”

• Ti，生长速率：30nm/min;

• Cr、Au、Pt、GeAu、Ni：均可通过调整Power做到60nm/min;

晶圆电镀系统

电镀金属：Au、Cu、Ni等金属

III-V/硅基及基于蓝宝石/SiC等非易挥发衬底的III-V材料膜系；

可带光刻；

晶圆尺寸：≤4”