干法刻蚀（dry etching）是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻开出的掩模层窗口，与暴露于等离子体中的基板材料或者沉积在基板材料上的物质进行物理或化学反应，从而刻蚀掉暴露于表面材料的一种工艺技术。
| 设备名称 | 工艺能力 | 工艺展示 |
| 反应离子刻蚀系统RIE | 晶圆尺寸：≤4英寸； 衬底类型：硅基、III-V族、蓝宝石、SiC等非易挥发性衬底; 刻蚀材料种类： SiNx、SiO2； SiNX刻蚀工艺:刻蚀速率>40nm/min；侧壁＞85°；均一性≤5%；衬底温度室温； SiO2刻蚀工艺: 刻蚀速率>25nm/min；侧壁＞85°；均一性≤5%；衬底温度室温； |
SiN刻蚀 |
| 反应离子刻蚀机 | 晶圆尺寸：≤8英寸； 衬底类型： III-V族、硅基、蓝宝石、SiC等非易挥发性衬底，允许刻蚀金属、介质等多种材料，不限交叉污染； 刻蚀材料种类：硅片、SiNx、SiO2、Al、LiNbO3、AlN、Mo、Cr、NbN等多种材料； l刻蚀工艺：刻蚀速率≤200nm/min；侧壁＞85°；均一性≤5%（6英寸）； |
Cr掩模的硅柱刻蚀 |
| 等离子刻蚀系统 | 晶圆尺寸：≤4英寸； 衬底类型：III-V族，硅及基于蓝宝石、SiC等非易挥发衬底的III-V材料膜系； 刻蚀材料种类：III-V族化合物； InP刻蚀工艺: 刻蚀速率75~500nm/min(4英寸)；侧壁＞85°； GaAs刻蚀工艺: 刻蚀速率>700nm/min；侧壁＞85°； GaN刻蚀工艺:刻蚀速率>600/min(SiO2硬掩模)；侧壁＞85°； |
InP台面刻蚀 |
| HBR刻蚀机 | 晶圆尺寸：≤4英寸； 衬底类型：硅基； 刻蚀材料：硅； 低温硅刻蚀工艺（10um宽的图形，深度25um，曝光面积10%）：刻蚀速率>2um/min；选择比：40:1（PR），100:1（SiO2）；侧壁90°±1；均匀性5%（4英寸）； |
硅光器件硅柱刻蚀 |
| XeF2刻蚀仪 | 晶圆尺寸：≤6英寸； 衬底种类：硅基或者基于蓝宝石、SiC、石英、 LN、AlN等非易挥发衬底的硅、硅基薄膜； 刻蚀材料：硅； 硅片刻蚀工艺：刻蚀速率> 1.2mm/min(6英寸); 均一性＜10%； |
SPR3612掩模的硅刻蚀 |
| HF干法刻蚀机 | 晶圆尺寸：≤4 英寸； 衬底类型：硅基或基于蓝宝石、SiC、石英、LN、AlN等非易挥发衬底的硅、硅基薄膜 刻蚀材料：SiO2； SiO2刻蚀工艺: 刻蚀速率~20-300 nm/min；均一性＜10%； |
SiO2刻蚀 |
| 双离子源刻蚀系统IBE | 晶圆尺寸：≤4 英寸； 衬底类型：硅基或基于蓝宝石、石英、LN等非易挥发衬底的硅、硅基薄膜； 刻蚀材料种类：所有平台中心允许的材料； SiO2刻蚀工艺：刻蚀速率低至15nm/min，均匀性≤2% (4英寸）； |
铌酸锂刻蚀 |
| 高功率等离子体刻蚀机 | 晶圆尺寸：≤6 英寸； 衬底类型：III-V族，硅及基于蓝宝石、SiC等非易挥发衬底的III-V材料膜系； 刻蚀材料种类：III-V族材料（CaAs、GaN/AlN等不含In的材料）； |
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