湿法工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，包括湿法清洗与湿法刻蚀。所谓湿法清洗是指是指利用各种无机、有机化学试剂、酸、碱及表面活性剂等对晶片表面附着的杂质进行清除，晶片表面的杂质与溶剂发生化学反应，生成可溶性物质、气体或直接脱落，从而达到清洗晶片的目的，湿法清洗是主流技术路线，占芯片制造清洗步骤数量的90%以上；所谓湿法腐蚀，就是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步浸蚀溶掉。
三台酸清洗及腐蚀通风橱
| 设备名称 | 工艺能力 | 工艺案例展示 | 工艺案例说明 |
湿法腐蚀台 （金属刻蚀及清洗通风橱，含超声功能）） | 设备配置：超声清洗机 工艺能力：金属刻蚀及超声清洗 可用溶剂：仅允许使用Au、Cu、Al、Cr等金属刻蚀液 |
| 被刻蚀材料：5 inch Mask 铬板 刻蚀溶液：硝酸铈铵 上图为湿刻1min后实物图，下图为微观结构。 |
湿法腐蚀台通风橱2 （普通酸刻蚀及清洗通风橱，无超声功能） | 工艺能力：酸清洗及刻蚀 可用溶剂：HCl、硫酸，piranha（H2SO4:H2O2=9:1）、SC1（H2O2:NH4OH:H2O =1:1:5）、SC2（H2O2:HCl:H2O = 1:1:5） |
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湿法腐蚀台通风橱3 （HF及BOE专用通风橱） | 工艺能力：酸清洗及刻蚀 可用溶剂：仅使用HF、BOE试剂 说明：使用塑料器皿，不能使用玻璃器皿 | 被刻蚀材料：InAlAs/InP 刻蚀溶液：piranha 硫酸:过氧化氢:水=1:1:10 |
二台有机清洗通风橱
| 设备名称 | 工艺能力 | 工艺展示 | 工艺说明 |
普通化学通风柜 4 （2号 Liftoff 有机清洗，小样品） | 样品尺寸：10*10mm、20*20mm、30*30mm及小尺寸样品 设备配置：1台超声清洗机， 工艺能力：可以超声清洗，可进行剥离工艺（金属剥离） 可用溶剂：乙醇、丙酮溶剂、异丙醇、NMP等有机溶剂 | ||
1.5M酸碱通风橱 （1号Liftoff有机清洗，大样品） | 样品尺寸：4寸及以下样品 设备配置：2台超声清洗机，可以超声清洗， 工艺能力：可以超声清洗，可进行剥离工艺（金属剥离） 可用溶剂：乙醇、丙酮溶剂、异丙醇、NMP等有机溶剂 |
| 被剥离材料： Ni金属 衬底尺寸：4inch wafer |
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