量测工艺

扫描电子显微镜

SEM

• 主要功能及特色：

扫描电子显微镜主要用于材料科学、金属材料、半导体材料、陶瓷材料、化学材料等领域，可进行材料的微观形貌、组织分析，可对磁性样品和不导电样品进行高分辨成像和分析。

• 主要规格及技术指标：

1.加速电压：0.02-30 KV；

2.分辨率：≤0.7 nm@15 KV(二次电子)，≤1.2 nm@1KV（二次电子）；

3.放大倍率：12-2,000,000；

4.探针电流：最大电流不小于 20 nA。

原子力显微镜

AFM

• 主要功能及特色：

1.高分辨率：在样品上每个原子实现力扫描；

2.采用双向扫描选项即刻实现成像速度翻倍；

3.完整的纳米尺度定量信息；

4.获取整体力学数据，从而全面表征接触力学机制。

• 主要规格及技术指标：

样品台移动范围: 180mm × 150mm可视区域；

样品尺寸: 210mm 真空吸盘样品台；夹具，直径 ≤210mm, 厚度 ≤15mm。

椭偏仪 

Wollam

• 主要功能及特色：

用来表征研究和工业中的薄膜和散装材料。对许多不同的材料特性提供非接触、非破坏性的测量。测量不需要真空，可用于研究生物和化学应用中常见的液体/固体界面。

• 主要规格及技术指标：

将傅立叶变换红外光谱的化学敏感性与光谱椭圆仪的薄膜敏感性相结合。光谱范围从1.7到30μm。

白光轮廓仪 

3D Laser

• 主要功能及特色：

能测量透明体的膜表面、观察膜的内部或背面、测量薄膜厚度形状。

• 主要规格及技术指标：

可同时进行观察焦点深度较大的观察图像（全焦点图像）和三维形状测量，兼具放大观察设备与测量设备的混合型产品。

• 主要功能及特色：

1.配备有更小波长的光源（200-1100 nm）；

2.非接触、不破坏样品地分析多层薄膜厚度、折射率和消光系数；

3.能够做多点面分布扫描测试。

• 主要规格及技术指标：

1.适合尺寸最大至8寸晶圆表面介质膜厚的光学参数（厚度、折射率）测量；

2.测量的厚度范围为5 nm-40 μm的透明介质，准确性可达0.05nm。

• 主要功能及特色：

扫描电子显微镜主要用于材料科学、金属材料、半导体材料、陶瓷材料、化学材料等领域，可进行材料的微观形貌、组织分析，可对磁性样品和不导电样品进行高分辨成像和分析。

• 主要规格及技术指标：

1.加速电压：0.02-30 KV；

2.分辨率：≤0.7 nm@15 KV(二次电子)，≤1.2 nm@1KV（二次电子）；

3.放大倍率：12-2,000,000；

4.探针电流：最大电流不小于 20 nA。

表面轮廓仪 

KLA台阶仪

• 主要功能及特色：

对于1微米的标样在无需防震台的情况下重复性小于5 Å，适用于纳米级到1200微米的样品的形貌测量。

• 主要规格及技术指标：

该设备垂直分辨率可以达到0.38 Å。

• 主要功能及特色：

支持明场和暗场成像。

• 主要规格及技术指标：

放大倍率：50/100/200/500/1000。

应力测量仪

Stress Tester

• 主要功能及特色：

应力测量系统广泛用于半导体纳米材料的薄膜应力测试 (硅基材料、SiO2、SiN、SixNy、以及其他化合物半导体)，是半导体研究中重要的工具。

• 主要规格及技术指标：

测试主机使用非接触式激光扫描测量。配备两种波长的激光光源各1个，波长分别为670 nm、780 nm 功率最大为4 mW，系统可自动选择最佳匹配之激光源。 设备带有综合参数数据分析软件，可实现工艺程序编辑、保存及调用等操作，具有2-D、3-D map功能、图表及数据输出功能等。 扫描范围：200 mm，样品尺寸：3～8英寸。 测量范围：1～4000 MPa。 测量精度：<2.5%或1 MPa，以大的为准 测量重复性：0.5 Mpa （1σ） （此数据的条件725 μm厚的硅晶圆，膜厚为10,000 Å） 测量速度：每次测试扫描<25秒。 量程内最大扫描点数：1250点/单程扫描（可手动调整） 曲率半径最小量程：2.0 m　（扫描直径为80 mm时）。

• 主要功能及特色：

测量量子器件的表面形貌、重复性、分辨率高，处理速度快。

• 主要规格及技术指标：

1.台阶高度重复性0.5nm；

2.扫描长度范围55mm。